マイクアンプのゲイン測定

　
　　　　　　　　　　実験回路　　　　　　　　　　　　　　　低周波発振機（トリオ　AG-202A)

◆１石アンプのゲイン測定(2006/09/30)
　回路１のような自己バイアス方式の１石アンプを組み、入力には低周波発振機（トリオ　ＡＧー２０２Ａ）をつなぎます。トランジスタは２ＳＣ１８１５のＢＬを使いました。入力電圧と出力電圧はデジタルテスタのＡＣレンジで測定します。無負荷状態で電圧利得は２０ｌｏｇ（ＯＵＴＰＵＴ／ＩＮＰＵＴ）で計算し、入力電圧はコンデンサマイクからの出力と同程度の０．０１Ｖに設定します。その結果３５ｄＢという値になりました。

◆ＴＡ７３５８Ｐのゲイン測定(2006/09/30)
　次はＴＡ７３５８Ｐの１，２，３ピンを使ったＡＦアンプのゲインを測定します。回路はベース接地とエミッタ接地の２種類です。また３ピンの負荷抵抗を１０ＫΩのボリュームにして変化させてみると、低→高でゲインが徐々に上がりますが、５ＫΩ近辺でゲインがピークとなり、その点を越えると信号が歪み始め、その後はゲインが低下します。ここでは負荷抵抗を４７０と３．３Ｋの２種類でゲイン測定してみました。

回路２のベース接地では入力インピーダンスが低いためか、低周波発振器をつなぐと、その出力電圧が数分の１に落ちてしまいます。アンプとしてのゲインはあっても、結果的にマイクアンプの出力に現れる電圧は低いものとなり、一見アンプとしてゲインが少ないように思えてしまいます。

◆まとめ(2006/09/30)
　ＳＳＢトランシーバとして入力にコンデンサマイクを使う場合、ベース接地よりエミッタ接地のほうが出力電圧が多く取れます。負荷抵抗については１石アンプの場合は値を大きくして行っても、急激にゲインが落ちるということはありませんが、ＴＡ７３５８Ｐのエミッタ接地の場合は一種の発振が起こるような感じで、急激にゲインが上がるとともに、ある点を境に歪が始まりゲインが下がるという独特の特性がありました。アンプとして安定的に使うには、負荷抵抗は２〜３ＫΩあたりが良いように思います。

＜完了＞